Биографија

Д-р Ненад НОВКОВСКИ, редовен професор, е роден на 14 мај 1958 г. во Крива Паланка. Високото образование го завршил во 1980 г., со диплома на факултетот за физика, Универзитет „Св. Кирил и Методиј“, Скопје, Македонија. Во 1985 г. магистрирал на насоката Техничка физика на Електротехничкиот факултет во Белград, Србија, со трудот „Нов приод кон теоријата на БСФ соларните ќелии“. Во 1990 г. докторирал на Институтот за физика, Природно-математички факултет, универзитет „Св. Кирил и Методиј“, Скопје, Македонија, со тезата „Добивање ултратенки силициумови оксинитридни филмови со оптимален диелектричен интегритет со помош на брза термичка постапка“. Ги владее англискиот, францускиот и рускиот јазик. Во 1980 г. бил избран за помлад асистент на Институтот за Физика при ПМФ, Скопје, во 1985 г. бил избран за асистент, во 1991 г. избран за доцент, во 1996 г. избран за вонреден професор, во 2001 г. бил избран за редовен професор, а во 2006 г. преизбран за редовен професор на Институтот за Физика при ПМФ, Скопје. Од декември 1998 г. до декември 2002 г. вршел општествена должност во Владата на Република Македонија, на работното место Министер надлежен за работите на образованието и науката. Држел вежби по предметите: општа физика за медицина, градежништво и електротехника, математичка физика, физика на кондензираната материја и мерења во физиката. Држел предавања по предметите: физика на нови материјали, физика на кондензираната материја и мерења во физиката и неколку изборни предмети. Објавил еден универзитетски учебник. Главни подрачја на научен интерес му се применета физика, микроелектроника и нанотехнологии. Во Web of science се регистирирани 80 труда од кои 60 се објавени во научни списанија со импакт фактор, 2 труда како поглавја на научни монографии од меѓународни издавачи, 18 од вкупно 25 труда во зборници од меѓународни конференции, 6 во други меѓународни или странски списанија и 26 во домашни списанија. Објавил и 16 стручни труда. Вкупниот број цитати според базата „Web of science“ на неговите трудови е 656, а факторот на Хирш (Hirsch factor) h = 15. Најзначаен придонес дал во оптимизирањето на условите за добивање на  ултра-тенки оксинитридни филмови врз силициум и на објаснувањето на механизмите на нивната деградација и пробив. Има развиено модел за опишување на струите на протекување низ свослојни структури од диелектрик со висока пермитивност и интерфејсен оксиден слој врз силициум, како и за нивната деградација при силни електрични полиња. Развил и метода за последователна екстракција на придонесите од различните механизми на апсорпциија во оптичките спектри на материјалите и рафинирано опредлеување на широчините на забрранетите зони кај полуспроводниците. Го усовршил методот на Терман за определување на распрелбите на густините на интерфејсние состојби лоцирани на разделната површина помеѓу диелектрикот и изоаторот во уреди засновани на структури од типот метал-изолатор-полуспроводник. Бил претседател на научен одбор на З домашни научни конференции, Бил и претседател на организацискиот одбор на 1 домашна научна конференција и член на научен одбор на 6 меѓународни научни конференции. Бил раководител на 8 научни проекти (4 од нив билатерални) и учесник во 8 други проекти. Бил член на тимот на 2 проекти за унапредување на образованието. Бил ментор на 4 успешно одбранети докторски дисертации, на 5 магистерски работи и на 23 дипломски работи. Остварил поголем број куси престои и ги остварил следниве подолги престои на странски универзитети: во 1981 г., 2 месеци студиски престој на CENG/DRF-Phs, Гренобл (Франција); 1987/89 г., две и пол години на Институтот за микро и оптоелектроника на Сојузната политехника во Лозана, EPFL (Швајцарија) и во 1992 г., по покана на Институтот за микро и оптоелектроника на Сојузната политехника во Лозана, 5 месеци како поканет професор. Бил член на научните одбори на повеќе меѓународни конференции.Во еден мандат бил раководител на Заводот за физика на кондензираната материја, а во два мандати шеф на Институтот за физика Бил претседател на Друштвото на физичарите на Република Македонија (ДФРМ) во два мандатни периоди.

Од 10.2006-10.2008, бил член на Советот за стандардизација. Од 10.2009-10.2013, бил раководител на докторски студии по физика. Од 10.2010-10.2012 бил член на Советот на Бирото за метрологија. Од 2014 е член на Истражувачкиот центар за животна средина и материјали на Македонската академија на науките и уметностите и член на Советот на Центарот.

Од 2014 г, е член на уредувачкиот одбор (придружен уредник на рубрика Колоиди и интерфејси) на меѓународното научно списание со импакт фактор Frontiers in materials со импакт фактор 2,9 за 2024 година, рангирано во вториот квартал од списанијата од подрачјето Наука и инженерство на материјалите, според Scimago Journal & Country Rank,

Член е на уредувачкиот одбор (уредник во рубриката Кондензирана материја) на меѓународното научно списание со импакт фактор Open Physics (претходно Central Еuropean Journal of Physics) со импакт фактор 1,8 за 2024 година, рангирано во третиот квартал од списанијата од подрачјето Физика и астрономија, според Scimago Journal & Country Rank.

Член е на советодавниот одбор одбор на меѓународното научно списание со импакт фактор Journal of Physics D: Applied Physics со импакт фактор 3,2 за 2024 година, рангирано во вториот квартал од списанијата од подрачјето Физика на кондензираната материја, според Scimago Journal & Country Rank

Член е на уредувачкиот одбор на меѓународното научно списание Facta Universitatis, Series: Electronics and Energetics.

Член е на уредувачкиот одбор на меѓународното научно списание Прилози на Македонската академија на науките и уметностите, одделение за природно-математички и биотехнички науки (CONTRIBUTIONS, Section of Natural, Mathematical and Biotechnical Sciences, MASA).

Од 2022 година е ангажиран како експерт при Институтот за акредитација на РСМ.

Книги

Ненад Новковски, Мерења во физиката, УКИМ 2014
Наука за планетата Земја, 2022
Spiridonov, Vlado, Mladjen Ćurić, and Nenad Novkovski. Atmospheric perspectives: unveiling earth's environmental challenges. Springer Nature, 2025.

Трудови и конф.

Трудови во научни списанија со фактор на влијание (Web of Science)

1. A. Ivanoska-Dacikj, P. Makreski, N. Geskovski, J. Karbowniczek, U. Stachewicz, N. Novkovski, J. Tanasić, I. Ristić and G. Bogoeva-Gaceva, Electrospun PEO/rGO Scaffolds: The Influence of the Concentration of rGO on Overall Properties and Cytotoxicity, International Journal of Molecular Sciences 23(2), 988 (2022)
2. N. Novkovski, Refined analysis of C–V and I–V characteristics of Al/dielectric/Si structures containing nanosized Ta₂O₅/SiO_xN_y dielectric stack, Journal of Physics D: Applied Physics 54, 055103 (2021)
3. B. Novkovska and N. Novkovski, Energy consumption and hidden economy in Macedonia: Causes and responses, Journal of Policy Modeling 40, 166-181 (2018).
4. N. Novkovski, A. Paskaleva, A. Skeparovski and D. Spassov, Analysis of conduction and charging mechanisms in atomic layer deposited multilayered HfO₂/Al₂O₃ stacks for use in charge trapping flash memories, Advances in Condensed Matter Physics 2018, 3708901, 9 pages (2018)
5. N. Novkovski, Modification of the Terman method for determination of interface states in metal-insulator-semiconductor, Journal of Physics Communications 1, 035006 (2017).
6. N. Novkovski, E. Atanassova, Frequency Dependence of Characteristics of MOS Capacitors Containing Nanosized High-κ Ta₂O₅ Dielectrics, Advances in Materials Science and Engineering 2017, 9745934 (11 pages) (2017).
7. N. Novkovski, A. Paskaleva, A. Skeparovski, D. Spassov, Model based precise analysis of the injection currents in Al/ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂/SiO₂/Si structures for use in charge trapping non-volatile memory devices, Materials Science in Semiconductor Processing 44, 30–37 (2016)
8. D. Spassov, A. Skeparovski, A. Paskaleva, N. Novkovski, A comparative study of charge trapping in HfO₂/Al₂O₃ and ZrO₂/Al₂O₃ based multilayered metal/high-k/oxide/Si structures, Thin Solid Films 614, 7–15 (2016)
9. N. Novkovski,  Determination of interface states in metal(Ag,TiN,W)-Hf:Ta₂O₅/SiO_xN_y-Si structures by different compact methods, Materials Science in Semiconductor Processing 39, 308–317 (2015)

10.N. Novkovski,  and E. Atanassova,  Leakage current characteristics of metal (Ag,TiN,W)-Hf:Ta₂O₅/SiO_xN_y–Si structures, Materials Science in Semiconductor Processing 29, 345–350 (2015)

11.N. Novkovski,  A. Tanusevski, D. Gracin, Refined analysis of absorption spectra of CdS thin films, J. Phys. D: Appl. Phys. 48, 395105 (10pp) (2015).

12.N. Novkovski, Peculiarities of the interface between high-permittivity dielectrics and semiconductors, Front. Mater. 1, 30-1–30-3 (2014)

13.N. Novkovski,  and M. Najdoski, Light absorption mechanisms in sodium vanadium bronze thin films in electrochromic cells, Materials Chemistry and Physics 148, 759–763 (2014)

14. E. Atanassova, N. Novkovski, D. Spassov, A. Paskaleva and A. Skeparovski, Time-dependent-dielectric-breakdown characteristics of Hf-doped Ta₂O₅/SiO₂ stack, Microelectronics Reliability 54, 381–387 (2014)

15. Marjan Delipetrev, Nenad Novkovski and Todor Delipetrov, New geomagnetic measurements in the Republic of Macedonia, Annals of Geophysics 56, 3, R0327-1- R0327-6 (2013)

16. E. Atanassova, D. Spassov, N. Novkovski,  and A. Paskaleva, Constant current stress of lightly Al-doped Ta₂O₅, Materials Science in Semiconductor Processing 15, 98-107 (2012)

17.L. Stojanovska-Georgievska, N. Novkovski and E. Atanassova, Charge trapping at Pt/high-k dielectric (Ta₂O₅) interface, Physica B: Condensed Matter 406, 3348-3353 (2011)

18.N. Novkovski and E. Atanassova, Charge trapping during constant current stress in Hf-doped Ta₂O₅ films sputtered on nitrided Si, Thin Solid Films 519, 2262-2267 (2011)

19.A. Skeparovski, N. Novkovski, E. Atanassova, A. Paskaleva and V. K. Lazarov, Effect of Al gate on the electrical behaviour of Al doped Ta₂O₅ stacks, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 235103 (10pp) (2011)

20.E. Atanassova, N. Novkovski, A. Paskaleva, D. Spassov, Constant current stress-induced leakage current in mixed HfO₂– Ta₂O₅ stacks, Microelectron. Reliab. 50, 794-800 (2010)

21.N. Novkovski, Analysis of the improvement of Al-Ta₂O₅/SiO₂-Si structures reliability by Si substrate plasma nitridation in N₂O, Thin Solid Films 517, 4394-4401 (2009)

22.A. Skeparovski1, N. Novkovski, E. Atanassova, D. Spassov and A. Paskaleva, Temperature dependence of leakage currents in Ti doped Ta₂O₅ films on nitrided silicon, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 095302 (8pp) (2009)

23.D. Spassov, E. Atanassova, N. Novkovski, Electrical behaviour of Ti-doped Ta₂O₅ on N₂O and NH₃ nitrided Si , Semicond. Sci. Technol. 24, 075024 (10pp) (2009)

24.A. Paskaleva, E. Atanassova and N. Novkovski, Constant current stress of Ti-doped Ta₂O₅ on nitrided Si, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 025105 (8pp) (2009)

25.N. Novkovski and A. Tanusevski, Origin of the optical absorption of In₂O₃ thin films in the visible range, Semicond. Sci. Technol. 23, 095012 (4pp) (2008)

26.E. Atanassova, A. Paskaleva and N. Novkovski, Effects of the metal gate on the stress-induced traps in Ta₂O₅/SiO₂ stacks, Microelectron. Reliab., 48, 514-525 (2008)

27.N. Novkovski, A. Skeparovski and E. Atanassova, Charge trapping effect at the contact between a high-work-function metal and Ta₂O₅ high-k dielectric, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 105302 (4pp) (2008)

28.N. Novkovski, Limitations in the methods of determination of conduction mechanisms in high-permittivity dielectric nano-layers, Physica B: Condensed Matter 398, 28-32 (2007)

29.N. Novkovski, and E. Atanassova, Frequency dependence of the effective series capacitance of metal-Ta₂O₅/SiO₂-Si structures, Semicond. Sci. Technol. 22, 533-536 (2007)

30.N. Novkovski, E. Atanassova and A. Paskaleva, Stress-induced leakage currents of the RF sputtered Ta₂O₅ on N-implanted silicon, Appl. Surf. Sci. 253, 4396-4403 (2007)

31.Aleksandar Skeparovski and Nenad Novkovski, On the nature of the high-k dielectrics leakage current reduction by postdeposition annealing, J. Optoelectron. Adv. Mat. 9 (4), 897-901 (2007)

32.N. Novkovski, Conduction and charge analysis of metal (Al, W and Au)-Ta₂O₅/SiO₂-Si structures, Semicond. Sci. Technol. 21, 945-951 (2006)

33.N. Novkovski and E. Atanassova, Wear-out and breakdown of thermally grown Ta₂O₅ insulating films on plasma oxynitrided Si substrates, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 2012-2017 (2006)

34.N. Novkovski and E. Atanassova, A comprehensive model for the I-V characteristics of metal‑Ta₂O₅/SiO₂-Si structures, Appl. Phys. A 83, 435-445 (2006)

35.N. Novkovski and E. Atanassova, Wear-out of Al-Ta₂O₅/SiO₂-Si structures under dynamic stress, Appl. Surf. Sci. 252, 3834-3837 (2006)

36.N. Novkovski and E. Atanassova, Approaching the limit of the SiO₂ possibilities for application in nanoscale microelectronics, J. Optoelectron. Adv. Mat. 8 (3), 1238-1242 (2006)

37.N. Novkovski and E. Atanassova, Wearout and breakdown of RF Sputtered Ta₂O₅ Films on Silicon, Appl. Phys. A 81, 1455-1458 (2005)

38.N. Novkovski and E. Atanassova, Dielectric properties of Ta₂O₅ films grown on silicon substrates plasma nitrided in N₂O, Appl. Phys. A 81, 1191-1195 (2005)

39.E.Atanassova, A.Paskaleva,  N. Novkovski, and M. Georgieva, Conduction mechanisms and reliability behavior of thermal Ta₂O₅-Si structures and the effect of the gate electrode, J. Appl. Phys. 97, 094104 (11 pp) (2005)

40.N. Novkovski and E. Atanassova, Origin of the stress-induced leakage currents in Al-Ta₂O₅/SiO₂-Si structures, Appl. Phys. Lett. 86, 152104 (3pp) (2005)

41.N. Novkovski, A. Paskaleva and E. Atanassova, Dielectric properties of rf sputtered Ta₂O₅ on rapid theramlly nitrided Si, Semicond. Sci. Technol. 20, 233-238 (2005)

42.N. Novkovski and E. Atanassova, Injection of holes from the silicon substrate in Ta₂O₅ films grown on silicon, Appl. Phys. Lett. 85, 3142-3144 (2004)

43.A. Paskaleva, N. Novkovski, E. Atanassova and M. Pecovska-Gjorgjevich, Density and spatial distribution of MERIE-like plasma induced defects in SiO₂, Phys. Stat. Sol. (a) 199 (2), 243-249 (2003)

44.M. Pecovska-Gjorgjevich, N. Novkovski and E. Atanassova, Electrical properties of thin RF sputtered Ta₂O₅ films after constant current stress, Microelectronics Reliability 43, 235-241 (2003)

45.B. Pesic, L.J. Vracar, N. Stojadinovic, M. Pecovska-Djorgjevic, and N. Novkovski, Stress induced leakage currents in thin silicon dioxide films, J. Mater. Sci. Materl. El. 14, 805-807 (2003)

46.E. Atanassova, N. Novkovski, A. Paskaleva and M. Pecovska-Gjorgjevich, Oxygen annealing modification of conduction mechanism in thin rf sputtered Ta₂O₅ on Si, Solid-State Electronics 46 (11), 1887-1898 (2002)

47.N. Novkovski, Breakdown and generation of interface states in oxynitride thin films on silicon, Semicond. Sci. Technol. 17, 93-96 (2002)

48.N. Novkovski, Comparison of the dynamic stress breakdown between oxide and oxy-nitride thin films on silicon, Phys. Stat. Sol. (a) 182 (2), R8-R9 (2000)

49.N. Novkovski, On the impeded growth of oxide films on Si in N₂O ambient, Appl. Phys. A 68, 573-575 (1999)

50.N. Novkovski, M. Pecovska-Gjorgjevich, E. Atanassova and T, Dimitrova, Stress degradation of Low Field Leakage in Alumina Gate MOS Structures Containing RF Magnetron Sputtered Thin Ta₂O₅ films, Phys. Stat. Sol. (a) 172, R9-R10 (1999)

51.M. Dutoit, D. Bouvet, J. Mi, N. Novkovski, and P. Letourneau, Thin SiO₂ films nitrided by rapid thermal processing in NH₃ and N₂O for applications in EEPROMs, Microelectron. J. 25, 539-551 (1994)

52.M. Dutoit, P. Letourneau, J. Mi, N. Novkovski, J. Manthey, and J. Solo de Zaldivar, Optimization of thin Si oxynitride films produced by rapid thermal processing for applications in EEPROMs, J. Electrochem. Soc. 140, 549-555 (1993)

53.N. Novkovski, M. Dutoit, and J. Solo de Zaldivar, Dielectric breakdown in thin Si oxynitride films produced by rapid thermal processing, Appl. Phys. Lett. 56, 2120-2122 (1990)

54.N. Novkovski, I Aizenberg, E. Goin, E. Fullin and M. Dutoit, Characterization of very thin Si oxynitride films produced by rapid thermal processing, Appl. Phys. Lett. 54, 2408-2410 (1989)

55.N. Novkovski and Gj. Ivanovski, On the theory of energy level distribution for regular spectra, Physics Letters A 131, 178-180 (1988)

56.Gj. Ivanovski, N. Novkovski and V. Urumov, Energy levels of a piecewise linear oscillator with a barier, Physics Letters A 125, 1-2 (1987)

57.Gj. Mavrodiev, M. Gajdardziska and N. Novkovski, Electrical and optical properties of SnO:F films prepared on glass substrates by chemical spraying method, Thin Solid Films 113, 93-100 (1984)

Поглавја од книги (Web of Science)

1. Lihnida Stojanovska-Georgievska and Nenad Novkovski, “Computer-Added C-V Measurement and Analysis of Metal/High-κ/Si Structures”, Advances in Intelligent and Soft Computing, ICT Innovations ed. Ljupcho Kocarev, Volume 150/2012, 301-310 (2012)
2. N. Novkovski "Progress and limitations in magnetic field measuremets" in "Geomagnetics in support of aeronautical safety", Eds. J.L. Rasson and T. Delipetrov, 2006 Springer, pp. 201-212

Зборници од меѓународни конференции

1. A. Skeparovski, A., N. Novkovski, A. Paskaleva, and D. Spassov, Reduction of Interface States Stress Generation by Oxygen Annealing of ALD Nanolaminated HfO₂/Al₂O₃ Dielectric Stacks for Charge Trapping Devices. In 2021 IEEE 32nd International Conference on Microelectronics (MIEL), pp. 153-156. IEEE, 2021.
2. N. Novkovski, A, Skeparovski, Determination Method for Interface State Densities Adapted to Ultrathin Dielectrics, 2019 IEEE 31^st International Conference on Microelectronics (MIEL), Nis, Serbia, 2019, pp. 63-66
3. N. Novkovski, A. Paskaleva, A. Skeparovski and D. Spassov, Interface state densities in different heterojunctions, Proceeding of the International Workshop on Advances in Nanomaterials, Măgurele - Bucharest, September 17-19, 2018, ed. Victor Bârsan, pp. 75-83, Horia Halubelei: Măgurele - Bucharest
4. A. Skeparovski, D. Spassov, A. Paskaleva and N. Novkovski, A Case Study of C-V Hysteresis Instability in Metal-High-k-Oxide-Silicon Devices with ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂ Stack as a Charge Trapping Layer, 2017 30^th International Conference on Microelectronics,  Proceedings, MIEL 2017, pp. 79-82
5. N. Novkovski, A. Skeparovski and D. Spassov, High-field/current stress and breakdown properties of Ag(gate)-Hf:Ta₂O₅/SiO_xN_y-Si(substrate) structures, 2014 29^th International Conference on Microelectronics,  Proceedings, MIEL2014, pp. 289-292
6. E. Atanassova, D. Spassov, N. Novkovski and A. Paskaleva, Stress-Induced Leakage Current in Lightly Al-doped Ta₂O₅, 2012 28^th International Conference on Microelectronics,  Proceedings, MIEL2012, pp. 323-326
7. A. Skeparovski, N. Novkovski and A. Paskaleva, Charge Trapping Properties in Ti-doped Ta₂O₅ Films on Nitrided Si, 2012 28^th International Conference on Microelectronics,  Proceedings, MIEL2012, pp.327-330
8. L.S. Georgievska, N. Novkovski, E. Atanassova, Charge Trapping at Low Injection Currents in (TiN, Mo, Pt)/Ta₂O₅:Hf/SiO₂/Si Structures, 2012 28^th International Conference on Microelectronics,  Proceedings, MIEL2012, pp. 331-334
9. A. Skeparovski, N. Novkovski, D. Spassov, E. Atanassova, V. K. Lazarov, Properties of Al doped Ta₂O₅ based MIS capacitors for DRAM applications, 2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings (MIEL) p. 455-458, 16-19 May, 2010

10.N. Novkovski, E. Atanassova and A. Paskaleva, Model Based Analysis of Electrical and Wear-out Characteristics of Ultra-thin Ta₂O₅/SiO_xN_y Stacks on Si, Proc. 26^nd international conference on microelectronics, Vol. 2, p. 533-536, 10-14 May, 2008

11.A. Skeparovski, N. Novkovski, A. Paskaleva and E. Atanassova, Constant Current Stress Characteristics of Ti Dopped Ta₂O₅ on Silicon, Proc. 26^nd international conference on microelectronics, Vol. 2, p. 579-582, 10-14 May, 2008

12.N. Novkovski, Role of the Ultrathin Silicon Oxide Interfacial Layer in High-k Dielectrics Properties, AIP Conference Proceedings, Volume 899, pp. 83-86, SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE BALKAN PHYSICAL UNION, Istanbul, Turkey, August 2006

13.N. Novkovski and E. Atanassova, Reliability Properties of Ta₂O₅ Films Grown on N₂O Plasma Nitrided Silicon, Proc. 25^th international conference on microelectronics (MIEL 2006), Vol. 2, p. 585-588, Nish, Serbia and Montenegro, 14-17 May, 2006

14.N. Novkovski and E. Atanassova, Stress characteristics of RF sputtered Ta₂O₅ films on silicon, Int. Conf. on Advances in Processing Testing and Application of Dielectric Materials, APTADM'2004, 16-19, Wroclaw 2004

15.N. Novkovski and E. Atanassova, Constant current stress characteristics of RF sputtered Ta₂O₅ films on silicon, Proc. 24nd Int. Conf. Microel. (MIEL 2004), 683-684

16.M. Pecovska-Gjorgjevich, N. Novkovski, E. Atanassova and D. Spasov, The effect of gate material on dielectric characteristics and conduction of Ta₂O₅ MOS structures, Proceedings of the 2004 IEEE International Conference on Solid Dielectrics, Vol. 2, 5-9 (2004)

17.M. Pecovska-Gjorgjevich, E. Atanassova, N. Novkovski, D. Spasov, Dielectic characteristic and conduction mechanisms of Ta₂O₅ MOS structures with various gate electrodes, Proceedings of the Fifth General Conference of the Balkan Physical Union (BPU-5), Vrnjačka Banja, Serbia and Montenegro, August 25-29, p.1615-16-8, 2003

18.M. Pecovska-Gjorgjevich, N. Novkovski, E. Atanassova, Stress induced leakage currents in thin Ta₂O₅ films, Proc. 23nd international Conference on Microelectronics (MIEL), Niš, Yugoslavia, 12-15 May, 759-762, (2002)

19.A. Paskaleva, E. Atanassova, N. Novkovski, M. Pecovska-Gjorgjevich, Conduction Mechanisms in thin Ta₂O₅ films, Proc. 23nd international Conference on Microelectronics (MIEL), Niš, Yugoslavia, 12-15 May, 755-758, (2002)

20.N. Novkovski, M. Pecovska-Gjorgjevich, E. Atanassova and T. Dimitrova, Stress Induced degradation in RF Deposited Ta₂O₅ films on Silicon, Proc. 22^nd international Conference on Microelectronics (MIEL), Niš, Serbia, 14-17 May, 377-388 (2000)

21.M. Pecovska-Gjorgjevich, N. Novkovski, E. Atanassova and T. Dimitrova, Leakage currents in RF-sputtered Ta₂O₅ films on Silicon, Proceedings of the fourth BPU conference, Veliko Trnovo (2000)

22.N. Novkovski, On the role of the insulator/silicon interface in the destructive dielectric breakdown in oxide and oxy-nitride films, Proc. Of the Eleventh Int. School on Condensed Matter Physics (ISCMP), New materials for the information technology for the third milenium, Varna, Bulgaria, 4-8 Sept. Editors: J.M. Marshall, N. Kirov, A. Vavrek and J.M. Maud (2000)

23.N. Novkovski, On the role of the interface with substrate in the destructive dielectric breakdown of very thin insulating films gown on silicon, Proc. 1998 IEEE International Conference on Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics, Vasteras, Sweden, 520-523 (1998)

24.N. Novkovski, A model of breakdown for very thin insulating films on silicon, Proc. Of the Tenth Int. School on Condensed Matter Physics (ISCMP), Thin film materials and devices – developments in science and technology, Varna, Bulgaria, 1-4 Sept. Editors: J.M. Marshall, N. Kirov, A. Vavrek and J.M. Maud, 405-408 (1998)

25.N. Novkovski, The use of the visual programming language HP VEE in data acquisition and processing, SEFI WGP Seminar EMEPE '98. Experiments and Measurements in engineering physics education, Brno, Czech Republic, 78-81 (1998)

26.D. Bouvet, N. Novkovski, J. Mi, P. Letourneau, M. Dutoit, F. Pio, C. Riva and N. Belafiore, Comparaison of RTP N₂O- and NH₃-nitrided thin SiO₂ films produced by rapid thermal processing for applications in EEPROM's, in J. Borel, P. Gentil, J.P. Noblanc, A. Nouailhat and M. Verdone (eds.), Proc. ESSDERC '93, Editions Frontières, Gyf-Sur-Yvette,  407 (1993)

27.M. Dutoit, E. Goin, N. Novkovski, I. A. AIzenberg, J. Manthey and Solo de Zaldivar, Thin nitrided SiO₂ films for EEPROMs, Proc. SSDM '90, 175-178, Sendai, Japan (1990)

Во други меѓународни научни списанија

1. N. Novkovski, A model based method comparing the properties of some metl-Ta₂O₅/SiO₂-Si structures, CONTRIBUTIONS, Section of Natural, Mathematical and Biotechnical Sciences, MASA, Vol. 39, No, pp. 15–21 (2018)
2. N. Novkovski, A. Skeparovski, A. Paskaleva, D. Spassov, Progress in materials for microelectronics and further challenges, CONTRIBUTIONS, Section of Natural, Mathematical and Biotechnical Sciences, MASA 36(2), 85–92 (2015)
3. N. Novkovski and E. Atanassova, Hysteresis-like flatband voltage instabilities in Al/Ta₂O_5-SiO₂/Si structures and their connection with J-V characteristics, CONTRIBUTIONS, Section of Natural, Mathematical and Biotechnical Sciences, MASA, Vol. 34, No. 1–2, pp. 7–17 (2013)
4. M. Pecovska-Gjorgjevich, D. Spasov, N. Novkovski, E. Atanassova, Dielectric characteristics and reliability tests for thin Au-Ta₂O₅-SiO₂-Si structures, Rom. Journ. Phys. 50, 1009-1017, (2005)
5. M. Pecovska-Gjorgjevich, D. Spasov, N. Novkovski, E. Atanassova, Dielectric characteristics and reliability tests for thin Au-Ta₂O₅-SiO₂-Si structures, Rom. Journ. Phys. 50, 1009-1017, (2005)

Во други научни списанија

1. N. Novkovski and E. Atanassova, Interface states in RF sputtered Ta₂O₅ films on silicon, Physica Macedonica 55, 19-26 (2005)
2. A. Skeparovski and N. Novkovski and E. Atanassova, Conduction mechanism in Ta₂O₅/SiO₂ structure films on silicon, Physica Macedonica 53/54, 67-71 (2004)
3. N. Novkovski, Generation of interface states in oxyde and oxy-nitride thin films on silicon during the Fowler-Nordheim injection, Physica Macedonica 50, 65-72 (2000)
4. M. Pecovska-Gjorgjevich, N. Novkovski, E. Atanassova and D. Spasov, Dielectric characteristics of thermally oxidized Ta₂O₅ thin films, Physica Macedonica 50, 59-64 (2000)
5. N. Novkovski, E. Atanassova, T. Dimitrova, RF Sputtered Ta₂O₅ Films on Si – Dielectric and Breakdown Characteristics, Physica Macedonica 49, p. 9 (1999)
6. N. Novkovski, A. Stefanovska, On the possible mechanical character of the respiratory frequency modulation of the heart rate, Physica Macedonica 49, p. 41 (1999)
7. N. Novkovski and M. Davkova, Experimental setup for quasi-static C-V measurements of MOS structures, Physica Macedonica  48, p. 17-22 (1998)
8. Gj. Ivanovski and N. Novkovski, On the theory of level spacing distribution in typical quantum systems, Fizika, 22, suppl. 2, 125 (1990)

 

 

Датум		19-21.10.2023
Настан		3rd Physics for Physicists Students Conference
Локација		Faculty of Natural Sciences and Mathematics, Skopje
Соопштение		Nenad Novkovski Physics between theory, experiment, modeling, technology, and daily practice
Датум		15.09.2023
Настан		International Workshop on Advances in Nanomaterials
Локација		NIMP (online), Măgurele, România
Соопштение		N. Novkovski, A. Skeparovski and A. Tanushevski Electrons and phonons in materials and devices: down to nanoscale (Atoms and phonons: reconcile Einstein with Debye)
Датум		21-23.04.2021
Настан		2021 KPS Spring Meeting (Virtual Conference) The 2nd Korea- North Macedonia Joint Workshop    Time/Room: April 22 (Thursday) 16:10 - 20:10 / Rm. 19
Локација		Online
Соопштение		Nenad Novkovski and Aleksandar Skeparovski Refined modeling of leakage and capacitance characteristics of nanostructures
Датум		01-04.07.2019
Настан		The Korea-Macedonia Joint Symposium on IT and Energy Materials
Локација		Skopje, Macedonia
Соопштение		Nenad Novkovski Modification of electrical and optical characterization methods for nanostructures

Др. активности

Има одржано предавање под наслов “Destructive dielectric breakdown of ultra-thin insulating films on Silicon” на семинар: International Bodrum school of Physics, September 2-12, Bodrum, Turkey 1993.

На 13.02.1998 година одржал по покана предавање на Институтот за физика на тврдото тело при БАН, под наслов: “Possibilities to obtain SiO₂/Si interface with optimum dielectric integrity”.

Одржал покането предавање на „SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE BALKAN PHYSICAL UNION, Istanbul, Turkey, August 2006“, под наслов Role of the Ultrathin Silicon Oxide Interfacial Layer in High-k Dielectrics Properties.

Одржал покането предавање на ondensed Matter Physics Conference of Balkan Countries, Mugla University , Mugla , TURKEY, 26 - 28 May, 2008, под наслов „ Peculiarities of capacitance measurements of nanosized high-k dielectrics: case of Ta₂O₅ “.

По покана на Меѓународниот центар за теориска физика од Трст, одржал покането предавање под наслов „Experiences by a Heavy eJDS User“ на настанот „eJDS-10th Anniversary ICTP – Trieste, Italy – 8 June 2012“.

На настанот Advanced workshop in nanophysics and solar energy conversion, September 1-3, 2014, Magurele – Bucuresti одржал покането предавање под наслов „Method of successive extraction of various contributions in absorption spectra of solids“.

На настанот Advances in Nanophysics and Nanophotonics, September 1-3, 2015, Magurele – Bucuresti одржал покането предавање под наслов „On the use of different methods in determination of interface state densities for MIS structures with nanosized dielectrics“.

На настанот International Workshop on Advances in Nanomaterials, September 17-21, 2018, Magurele – Bucuresti одржал покането предавање под наслов „Interface state densities in different heterojunctions “.